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2008年度入学生 |
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EBコース |
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コース分け(EBコース条件) |
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3年次始め |
継続及び編入の条件 |
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累積修得単位数:104単位以上、GPA:1.8以上 |
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分類T:25 単位以上 |
成績評価による加重点
S評価(90点以上) :4 A評価(80点以上90点未満) :3
B評価(70点以上80点未満) :2 C評価(60点以上70点未満) :1
E評価(60点未満),X・D評価 :0
表中の卒業要件における分類・グループ毎の条件等は以下の通りである。
注1: 2年次までの分類II・分類IIIの必修科目(23単位)
@ 物理及び化学実験(2)
A 基礎電気回路I(3)
B 基礎電気回路II (3)
C 基礎電子回路I (2)
D 目的指向実験(オブジェクト)I (2)
E 目的指向実験(オブジェクト)II (3)
F 基礎電気磁気学I−EB (3)
G 基礎電気磁気学II−EB (3)
H C言語 (2)
注2-1:分類T−b
@ 英語基礎T−Aまたは英語基礎T−Bまたは英語基礎T−Cのいずれかの科目
A 英語基礎U−Aまたは英語基礎U−Bまたは英語基礎U−Cのいずれかの科目
B 科学英語T−Aまたは科学英語T−Bまたは科学英語T−Cのいずれかの科目
C 科学英語U−Aまたは科学英語U−Bまたは科学英語U−Cのいずれかの科目
D 初級英会話T,初級英会話U,中級英会話T,中級英会話U,上級英会話T,上級英会話U,海外研修英語,検定英語T,検定英語U,検定英語Vの中から4 単位以上を含むこと。
注2-2:分類T−c
@ 健康・スポーツ科学実習,応用スポーツ実技,生涯スポーツ実技
注2-3:分類T−d
@ 必修2単位(技術者倫理)
注2-4:分類U
@ 必修2単位(物理及び化学実験)
A 微分積分学T−αβまたは微分積分学T−βのいずれかの科目
B 微分積分学U−αβまたは微分積分学U−βのいずれかの科目
C 力学T−αβまたは力学T−βのいずれかの科目
D ベクトル解析またはフーリエ解析のいずれかの科目
注2-5:分類V
@ 必修科目36単位(基礎電気回路T,基礎電気回路U,基礎電子回路T,基礎電気磁気学T−EB,基礎電気磁気学U−EB,目的指向実験(オブジェクト)T,目的指向実験(オブジェクト) U,専門実験,電気電子設計製図T,電気電子設計製図U,C言語,電気電子工学ゼミ,電気電子設計及び特別研究,卒業研究)
A 電気電子英語Aまたは電気電子英語Bのいずれかの科目
B 電気電子数学T,電気電子数学U,基礎電子回路U,回路解析T,回路解析U,電気電子計測T,電気電子計測Uの中から9単位以上
C 電気機器学,制御工学,環境・エネルギー,パワーエレクトロニクスの中から4単位以上
D 半導体工学,アナログ電子回路,電気電子材料,電子デバイスの中から4単位以上
E 論理回路,パルス電子回路,電子通信工学,コンピュータ工学の中から4単位以上
F 卒業研究の評価が「BまたはC」となった場合は,EBコースの修了生として相応しいかどうかを判断するために面接を行う。
3年次末でEBコースに変更することはできないが,それ以外のコース変更は各年次の当初に届ければ原則的には可能である。ただし、EBコースへの編入は次表で示した条件を満たす必要があるので十分注意すること。